半導體與電子

由讀得懂製程流程的人所撰寫的請求項。

半導體專利失敗的方式相當固定：請求項綁在會移動的製程節點上、結構限定條件被競爭對手的整合方案繞開、說明書從未讓邊角情況得以據以實施。要避開這些，就必須從理解元件實際如何製造出來出發來撰擬。

我們在整個半導體堆疊中進行專利申請程序與訴訟——元件物理與結構、類比與混合訊號電路、記憶體、功率電子、封裝與內連線、製造製程與設備，以及環繞其周邊的量測技術。相同的涵蓋範圍也延伸到消費性電子、顯示器、影像與光電，以及射頻與天線系統。

這樣的涵蓋範圍反映在我們管理的專利組合上：系統單晶片架構、記憶胞結構、微影與沉積製程，以及環繞其周邊的類比電路。

比製程節點活得更久的請求項

一項針對某一節點校準過的結構限定條件，兩個節點之後就成了一份迴避設計指南。半導體請求項要保住價值，靠的是記載使該結構得以運作的功能性關係——摻雜關係、介面行為、熱傳路徑——而不是申請當時剛好通行的尺寸數值。

要做到這一點，必須讀製程流程，而不是讀發明揭露書的摘要。這正是撰擬工作由具備相應技術訓練的人來做的原因。

一項涵蓋內部製程步驟的請求項，是沒有人能在不進晶圓廠實地查看的情況下證明遭到侵害的請求項。真正能夠主張的，是讀得到成品元件的請求項——在剖面中看得見、在晶粒照片中看得見，或在電性分析中量得出來的東西。一個專利組合兩者都需要，而且必須在真正需要行使權利之前，就知道哪一件屬於哪一種。

佐證

本所進行專利申請程序的專利，取自本所自行公開的清單，以及美國專利商標局的登記代理人索引。這是紀錄，而非主張。

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