半導体・エレクトロニクス

プロセスフローを読んだことのある者が書く特許請求の範囲。

半導体の特許は、決まった形で失敗します。移り変わるプロセスノードに縛られた請求項、競合他社の集積手法にかわされる構造上の限定、コーナーケースを実施可能にしていなかった明細書です。それらを避けるには、そのデバイスが実際にどう作られるのかを理解したうえで作成する必要があります。

この分野で掲載している特許: 1,203
プロフェッショナル: 21

当事務所は、半導体のスタック全体にわたって出願手続と訴訟を行っています。デバイス物理と構造、アナログおよびミックスドシグナル回路、メモリ、パワーエレクトロニクス、パッケージングと配線、製造プロセスと装置、そしてそれらを取り巻く計測技術です。同じ範囲は、民生用電子機器、ディスプレイ、イメージングとオプトエレクトロニクス、RFおよびアンテナシステムにも及びます。

こうした対応範囲の広さは、当事務所が管理しているポートフォリオに表れています。システムオンチップのアーキテクチャ、メモリセル構造、フォトリソグラフィと成膜のプロセス、そしてそれらを取り囲むアナログ回路です。

プロセスノードより長く生きる特許請求の範囲

一つのノードに合わせて調整された構造上の限定は、二世代後には回避設計の手引きになります。半導体の請求項が価値を保つのは、出願時にたまたま最新だった寸法ではなく、その構造を機能させている関係 — ドーピングの関係、界面の挙動、熱の経路 — を記載しているときです。

そこに至るには、発明提案書の要約ではなく、プロセスフローを読む必要があります。作成をその訓練を受けた者が担っているのは、そのためです。

特許侵害が実際に検出できる場所

内部の製造工程を対象とする請求項は、工場を見て回らない限り誰も侵害を立証できない請求項です。行使できるのは、完成したデバイスに及ぶ請求項 — 断面、ダイの写真、あるいは電気的特性評価で見えるもの — です。ポートフォリオにはその双方が必要であり、しかも何かを行使する必要が生じる前に、どれがどちらなのかを把握しておく必要があります。

根拠

この分野で当事務所が作成した特許

当事務所が出願手続を行った特許です。当事務所が公表している一覧と、USPTO の記録上の代理人索引に基づいています。主張ではなく、記録です。

すべての特許一覧

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12,725,923Metasurface subarrays with integrated amplification and tunable delay for estimating angle of arrival and redirecting wireless signals
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12,724,075Battery characteristic estimation device, battery characteristic estimation method and storage medium
12,721,148Semiconductor device with power supply distribution networks on frontside and backside of a circuit
12,721,142Isolated super via to middle metal line level
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12,719,298Output control device for lithium-ion battery, output control method, and storage medium